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最新10篇文章回顧
dlc007

 發表於 2006-3-22 05:28 PM

蠻詳細的一篇文章, 不過這算是記憶體的超頻吧
記憶體不穩也可以用這種方法調降速度, 可以讓記憶體再撐一陣子


ormedorfood

 發表於 2006-3-20 12:23 PM

非常實用...以前都沒注意呀...
真是謝謝 csky兄囉


csky

 發表於 2006-2-2 04:51 PM

每一個SDRAM和DDR記憶體模組織中,都會包含一顆紀錄著記憶體時序設定值的SPD(Serial Presence Detect)晶片,記憶體製造商會設定一個保證安全與穩定運作的參數,但如果考慮一次可以讓你賺到10%效能增加的好處,花一點時間去試出較緊的記憶體時序參數,一定會讓你值回票價。

而在BIOS設定畫面你可以找到像「System Performance」、「Memory Timings」或「Configure DRAM Timing」的項目名稱,基本上出廠的設定值是用「By SPD」,這表示讓電腦直接取用放在記憶體模組中所推薦的時序參數,套用上記憶體存取,另一個你可以改變的是改設為「Enabled」,這不會對你的電腦產生問題。

想要試一試改變系統速度的人,可以將上述的選項由剛剛設的「Enabled」改成「Disabled」或「User Defined」,如果你的BIOS可以讓你改變的話,詳見上圖所示,你可以自己設定適當的參數,以下還會再說明一些。

27. 降低RAS-to-CAS的延滯值

我們最好將系統記憶體想程式一個二維的查詢表,當我們要存取資料時,需要先指定存放資料的一列(row)位址所在,也就是送出一個稱為RAS(Row Address Strobe)的訊號,然後接著送出CAS(Column Address Strobe)的訊號來定義行(Column)的資料位置,透過哪一行及哪一列的位置確定,就可以找到正確的資料存放位置,不過在接連送出的RAS和 CAS的訊號間,需要有一個短暫停頓,以確保記憶體的正確位置被鎖定,這就是本文所謂的RAS-to-CAS的延滯,一般的數值是二到三個記憶體時脈的延遲時間。

設定「SDRAM RAS to CAS Delay」數值是為了設定RAS的訊號送出後,在隔多少記憶體時脈後才送出CAS的訊號,可能的數值範圍是2到5,2是最快的,每次調一個數字再測試整個系統的穩定性,愈好的記憶體模組,可以讓你設定更快的數值而系統依然可以穩定運作。

28. 降低CAS的延滯

記憶體的資料存取是靠著記憶體定址後,在一段特定延滯時間區間之中,才可以讀寫該記憶體位置的內容,這段時間區間就稱為記憶體延滯時間(latency),對每一記憶體單位可以設為「2T」,也就是兩個記憶體時脈的延遲,或「3T」有三個記憶體時脈的延遲,如此類推,愈小的「SDRAM CAS Latency」數值表示效能愈高,反之亦然。

最安全與最正確的「SDRAM CAS Latency」數值通常會印在記憶體模組的標籤上,或乾脆就蝕刻在晶片上,一般的數字在低價記憶體模組的產品會是3T或2.5T,如果將2.5T降到 2T時,需要再一次確定系統的穩定性,有些記憶體製造商宣稱他們的記憶體模組可以設到2T,而且還可以跑高的時脈速度,一旦縮短CAS延滯時間成功後,你可以試一試將記憶體時脈的數字也一併增加,使用者可以在「Memory Frequency」選項中修改。

請注意,一次只變動一個項目,然後重新啟動系統再做一次測試,這有助於一旦不穩定發生時能夠讓你回復到正確的參數。

29. 降低記憶體載入時間

記憶體單元的電荷充電時間的快慢影響整體運作速度,在「SDRAM RAS Precharge Delay」項目中數值改變,通常用幾個時脈數字代表,會影響RAS訊號送出,而內部充電電荷水位已經開始建立的時間區間的長短,愈小的數值設定,例如設定為「2」時,會讓整體運作速度節奏變快,不過,設定數字越大,系統運作會更穩定,與先前建議一樣,一次改一個數字,檢查穩定運作後再做下一個改變。

30. 縮短兩次記憶體存取間的延遲

在「SDRAM Active Precharge Delay」項目可以設定一個記憶體時脈數字,用來表示下一次記憶體存取所需要延遲的時間,一旦延遲時機縮短,記憶體存取就會加快。

設定這個數字最好的黃金公式是:Active Precharge Delay = CAS-Latency + RAS Precharge Delay + 2(加上合理安全範圍),為了試驗其他可能的黃金組合的數字,一次減一個時脈的延遲,看看可不可以正常運作,一旦有問題發生,可以再跳回先前安全設定。

32. 增加記憶體輸入電壓

記憶體要跑得快,電壓就要增加,所以當時脈增加時,也要同步提生輸入電壓。

「DDR Reference Voltage」項目可以讓你以每0.1伏特為單位緩步提高輸入電壓,要增加這個數字比較有效的配套方法是同步減少記憶體時序數字,或增加了記憶體時脈速度的調整,不過,先決條件式系統要能夠穩定工作。

請注意,輸入電壓如果提的太高,會有燒掉記憶體模組的風險。

以上轉自tom硬體網站

[csky 在 2006-2-2 04:52 PM 作了最後編輯]





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