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 TWed2k » 硬體求助討論區 » [問題]用IDE快閃記憶卡放資料庫的可靠度 RSS   



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主題: [討論] [問題]用IDE快閃記憶卡放資料庫的可靠度   字型大小：小|中|大|巨  ← →
bonjacky
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#1 : 2008-6-13 12:56 AM     全部回覆 送鮮花給本文章，以表示喜愛之意，點花數可看送花者名單送花 (0) 引言回覆
SSD 目前壽命還是很大的問題
而且 SSD 的優勢是讀取速度及耗電量，而不是寫入速度
資料庫的寫入太頻繁了，使用 SSD 反而拖慢效能
等將來 Intel 32nm 製程，號稱讀取 200MB/s 寫入 100MB/s 的 Nand Flash 出來以後
在效能上才有機會跟硬碟一較高下
而壽命呢....就看 Intel 預留多少空間做 ECC 運算了，預留的空間越多，ECC 越強
相對的壽命也越長


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#2 : 2008-6-14 03:41 PM     全部回覆 送鮮花給本文章，以表示喜愛之意，點花數可看送花者名單送花 (2) 引言回覆
MO 跟記憶卡有一個不太一樣的地方就是 Nand Flash 有 wearleveling 的演算法
透過 wearleveling 做處理，像 fat 區，在系統而言，寫入的位置是一樣的，但 wearleveling 在每次寫入時，將資料寫入不同的區域，讓寫入的次數平均分散在每一個區塊，不會因為 fat 區經常做修改而提前結束記憶卡的壽命


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